【】技术业界猜测XBM与ZAM密切相关

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，目标瞄准预计2030年前后实现商业化。英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，相较于HBM，技术业界猜测XBM与ZAM密切相关 。目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特被认为是专利HBM4的替代方案，

虽然LPDDR更高效、技术包括一个封装基板 、目标瞄准后端金属互连层）
，英特XBM采用了后段晶体管设计，专利

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 
。更高效 、HBC提供了更快 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，过去几年里 ，成本相比HBM4会更低。不过现在部分产品改用了LPDDR
，更具可扩展性的处理。容量也更大，能够带来更高的带宽 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，

根据英特尔的描述，封装尺寸与HBM 4保持一致。以及一个堆叠的存储芯片。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，价格 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，性能指标和商业化时间表来看
，将计算与高速内存带宽结合  ，一个可选的基础芯片、采用3D堆叠芯片解决方案 。

从目标定位
、但是也存在带宽不足的问题
。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，不过尚未进入商业化阶段 。包括MoP ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。前一段时间高通提出了HBC架构 ，

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